与CMOS工艺兼容的硅基锗锡激光器新时代

德国于利希研究中心领导、由一些欧洲研究结构和大学组成的研究小组，将会在2015IEEE国际电子器件会议上（该会议将于12月7日至9日在华盛顿召开）发布硅基直接带隙锗锡微腔，该器的激射波长为2.5um，输出功率为221KW/cm2。

该激光器采用厚度为560nm且生长在锗缓冲层/硅衬底上的锗锡外延材料，由标准的CMOS兼容工艺制造，并单片集成在硅平台上。激光器的激射归功于应变引起的直接带隙外延层和微腔结构。这个研究工作克服了光子集成中CMOS工艺兼容的光源制备这一大难点，是硅光子集成的一个重要步骤。

该激光器的制备工艺如下：外延生长后，采用干法刻蚀刻出微腔结构，其一然后用四氟化碳等离子体刻蚀出底部支柱，再点兵点将的多策略玩法。一日三变的战争局势淀积三氧化二铝作为钝化层。在这个过程中，微腔边缘的应力释放有助于提高激光器性能。