发布业内首款采用热增强.DG

器件的RDS(ON)比前一代器件低5 %，TSOP-6封装的占位面积小55%

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm，在10V下具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。

所以SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器，以及以太供电 (PoE) 的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用，PowerPAK SC-70的占位比 mm x 2.8mm TSOP-6封装小55%，同时热阻低40%。

SiA446DJ采用ThunderFET 技术制造，在10V、7.5V和6V下的最大导通电阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ。在10V下，器件的导通电阻比采用TSOP-6封装的前一代器件低5 %，其典型导通电阻与栅极电荷的乘积即优值系数低54%，可提高效率。而且，SiA446DJ的导通电阻比最新的采用 mm x 2.7mm SOT-2 封装的器件低26%。

SiA446DJ加上此前发布的PowerPAK SC-70封装的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封装的100V SiB456DK，拓展了采用小尺寸、热增强封装的Vishay中压MOSFET的产品组合。器件进行了100%的RG和UIS测试，符合RoHS，无卤素。

相关资源：

Vishay站上的产品数据表：

ThunderFET MOSFET的最新产品列表：

在Vishay站查看分销商库存：