推出采用超小型.DG

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006- 封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT72 封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256℃/W，在连续条件下功耗高达1. W，而同类产品的功耗则多出一倍。

初步统计因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能。Diodes率先提供额定电压为20V、 0V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换(signal switching)及升压转换(boost conversion) 应用。

例如，额定电压为20V的DMN2 00UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V的DMN2 00UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值(ESD Rating)，分别为2kV和 kV。