英飞凌推出支持高压高速IGBT和功率MO生存

2015年12月11日，德国慕尼黑讯 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大其200 V产品阵容，推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护，比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动，采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离（HVJI）工艺，以实现小型封装，同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V器件专为低压（24 V、 6 V和48 V）和中压（60 V、80 V和100 V）应用量身定制。它们能实现很高的系统级效率和功率密度，同时实现必要的耐用性。

IRS200x产品家族包括六款器件，典型灌电流为600 mA，拉电流为290 mA。这些200 V器件支持 . V、5 V和15 V逻辑元件。整个产品家族的驱动IC均支持VCC欠压锁定（UVLO），而IRS2005还支持VBS UVLO，可以进一步提高系统可靠性。200V驱动IC专为支持自举电源而设计，这样就不必配备大而昂贵的辅助电源 通常基于分立光电耦合器或变压器的设计有这种需要。此外，IRS200 和IRS2004集成死区时间和直通保护功能。这些200 V器件具备低静态电流。IRS2004还具有关断输入引脚。